N-沟道功率MOSFET-MPF12N65
MOS管是一种金属氧化物半导体场效应晶体管;它由金属、氧化物和半导体材料构成;分为N沟道型(NMOS)和P沟道型(PMOS)两种类型;具有低功耗、高速度、小型化、可靠性优点。
工作原理是通过控制栅极电压来调节漏极和源极之间的电流流动,实现信号放大或开关操作;由于MOS管结构简单,可以实现高度集成的电路设计,在现代电子技术中起着不可忽视的作用。
可广泛应用于电子设备中,如集成电路、电源管理、通信系统等领域;MOS管在集成电路中作为逻辑门、存储器和微处理器等关键组件,可以实现高度集成和小型化。在电源管理中,MOS管用于电池管理、功率放大和开关控制等。在通信系统中,MOS管用于射频功率放大器、调制解调器和滤波器等。
(资料图片仅供参考)
由工采网代理的MPF12N65是一款高压平面MOS管;采用N-type沟道形式;TO-220F封装;可应用于LED电源/适配器/PD快充等等。
MPF12N65特性:
额定电压(电流):650V-12A
栅极开启电压:2.0V~4.0V
导通电阻:典型值0.65Ω,绝对值为0.8Ω
栅极电荷量(nC):40.2
输入结电容(pF):1780pF
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